MUN5116DW1T1G
TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363
رقم القطعة
MUN5116DW1T1G
الشركة المصنعة/العلامة التجارية
مسلسل
-
حالة الجزء
Active
التعبئة والتغليف
Cut Tape (CT)
نوع التركيب
Surface Mount
الحزمة / القضية
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
أقصى القوة
250mW
حزمة جهاز المورد
SC-88/SC70-6/SOT-363
نوع الترانزستور
2 PNP - Pre-Biased (Dual)
الحالي - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)
100mA
الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)
50V
تشبع Vce (الحد الأقصى) @ Ib, Ic
250mV @ 1mA, 10mA
التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)
500nA
كسب التيار المستمر (hFE) (الحد الأدنى) @ Ic, Vce
160 @ 5mA, 10V
التردد - الانتقال
-
المقاوم - القاعدة (R1)
4.7 kOhms
المقاوم - قاعدة الباعث (R2)
-
طلب اقتباس
يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.
في الأوراق المالية 28443 PCS
معلومات الاتصال
منتجات ذات صله
الكلمات الرئيسية لMUN5116DW1T1G
MUN5116DW1T1G مكونات الكترونية
MUN5116DW1T1G مبيعات
MUN5116DW1T1G المورد
MUN5116DW1T1G موزع
MUN5116DW1T1G جدول البيانات
MUN5116DW1T1G الصور
MUN5116DW1T1G سعر
MUN5116DW1T1G يعرض
MUN5116DW1T1G أقل سعر
MUN5116DW1T1G يبحث
MUN5116DW1T1G شراء
MUN5116DW1T1G رقاقة