NVATS5A112PLZT4G
MOSFET P-CHANNEL 60V 27A ATPAK
رقم القطعة
NVATS5A112PLZT4G
الشركة المصنعة/العلامة التجارية
مسلسل
-
حالة الجزء
Active
التعبئة والتغليف
Cut Tape (CT)
تكنولوجيا
MOSFET (Metal Oxide)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
الحزمة / القضية
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
حزمة جهاز المورد
ATPAK
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
48W (Tc)
نوع فيت
P-Channel
ميزة FET
-
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)
60V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية
27A (Ta)
Rds On (Max) @ Id، Vgs
43 mOhm @ 13A, 10V
Vgs(ال) (ماكس) @ معرف
2.6V @ 1mA
رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
33.5nC @ 10V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1450pF @ 20V
جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)
4V, 10V
في جي إس (الحد الأقصى)
±20V
طلب اقتباس
يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.
في الأوراق المالية 10847 PCS
معلومات الاتصال
منتجات ذات صله
الكلمات الرئيسية لNVATS5A112PLZT4G
NVATS5A112PLZT4G مكونات الكترونية
NVATS5A112PLZT4G مبيعات
NVATS5A112PLZT4G المورد
NVATS5A112PLZT4G موزع
NVATS5A112PLZT4G جدول البيانات
NVATS5A112PLZT4G الصور
NVATS5A112PLZT4G سعر
NVATS5A112PLZT4G يعرض
NVATS5A112PLZT4G أقل سعر
NVATS5A112PLZT4G يبحث
NVATS5A112PLZT4G شراء
NVATS5A112PLZT4G رقاقة