NVMFD5C650NLT1G
MOSFET 2N-CH 60V 111A S08FL
رقم القطعة
NVMFD5C650NLT1G
الشركة المصنعة/العلامة التجارية
مسلسل
Automotive, AEC-Q101
حالة الجزء
Active
التعبئة والتغليف
Cut Tape (CT)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
الحزمة / القضية
8-PowerTDFN
أقصى القوة
3.5W (Ta), 125W (Tc)
حزمة جهاز المورد
8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
نوع فيت
2 N-Channel (Dual)
ميزة FET
Standard
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)
60V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية
21A (Ta), 111A (Tc)
Rds On (Max) @ Id، Vgs
4.2 mOhm @ 20A, 10V
Vgs(ال) (ماكس) @ معرف
2.2V @ 98µA
رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
16nC @ 4.5V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
2546pF @ 25V
طلب اقتباس
يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.
في الأوراق المالية 30628 PCS
معلومات الاتصال
منتجات ذات صله
الكلمات الرئيسية لNVMFD5C650NLT1G
NVMFD5C650NLT1G مكونات الكترونية
NVMFD5C650NLT1G مبيعات
NVMFD5C650NLT1G المورد
NVMFD5C650NLT1G موزع
NVMFD5C650NLT1G جدول البيانات
NVMFD5C650NLT1G الصور
NVMFD5C650NLT1G سعر
NVMFD5C650NLT1G يعرض
NVMFD5C650NLT1G أقل سعر
NVMFD5C650NLT1G يبحث
NVMFD5C650NLT1G شراء
NVMFD5C650NLT1G رقاقة