شراء Renesas Electronics America RJK03C1DPB-00#J5 MOSFET N-CH 30V 60A LFPAK

الصين
مورد المكونات الإلكترونية المهنية

الكتالوجات الشركات المصنعة رقائق CN

قد تكون الصورة تمثيلية.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.

جداول البيانات

RJK03C1DPB-00#J5

MOSFET N-CH 30V 60A LFPAK

رقم القطعة

RJK03C1DPB-00#J5

الشركة المصنعة/العلامة التجارية

Renesas Electronics America

مسلسل

حالة الجزء

Obsolete

التعبئة والتغليف

Cut Tape (CT)

تكنولوجيا

MOSFET (Metal Oxide)

درجة حرارة التشغيل

150°C (TJ)

نوع التركيب

Surface Mount

الحزمة / القضية

SC-100, SOT-669

حزمة جهاز المورد

LFPAK

تبديد الطاقة (الحد الأقصى)

65W (Tc)

نوع فيت

N-Channel

ميزة FET

Schottky Diode (Body)

استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)

30V

التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية

60A (Ta)

Rds On (Max) @ Id، Vgs

2.2 mOhm @ 30A, 10V

Vgs(ال) (ماكس) @ معرف

رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs

42nC @ 4.5V

سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds

6000pF @ 10V

جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)

4.5V, 10V

في جي إس (الحد الأقصى)

±20V

طلب اقتباس

يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.

في الأوراق المالية 37065 PCS

معلومات الاتصال