شراء Rohm Semiconductor DTC115GUAT106 TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3

الصين
مورد المكونات الإلكترونية المهنية

الكتالوجات الشركات المصنعة رقائق CN

قد تكون الصورة تمثيلية.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.

جداول البيانات

DTC115GUAT106

TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3

رقم القطعة

DTC115GUAT106

الشركة المصنعة/العلامة التجارية

Rohm Semiconductor

مسلسل

حالة الجزء

Active

التعبئة والتغليف

Cut Tape (CT)

نوع التركيب

Surface Mount

الحزمة / القضية

SC-70, SOT-323

أقصى القوة

200mW

حزمة جهاز المورد

UMT3

نوع الترانزستور

NPN - Pre-Biased

الحالي - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)

100mA

الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)

50V

تشبع Vce (الحد الأقصى) @ Ib, Ic

300mV @ 250µA, 5mA

التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)

500nA (ICBO)

كسب التيار المستمر (hFE) (الحد الأدنى) @ Ic, Vce

82 @ 5mA, 5V

التردد - الانتقال

250MHz

المقاوم - القاعدة (R1)

المقاوم - قاعدة الباعث (R2)

100 kOhms

طلب اقتباس

يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.

في الأوراق المالية 12656 PCS

معلومات الاتصال