QS8M51TR
MOSFET N/P-CH 100V 2A/1.5A TSMT8
رقم القطعة
QS8M51TR
الشركة المصنعة/العلامة التجارية
مسلسل
-
حالة الجزء
Active
التعبئة والتغليف
Cut Tape (CT)
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
الحزمة / القضية
8-SMD, Flat Lead
أقصى القوة
1.5W
حزمة جهاز المورد
TSMT8
نوع فيت
N and P-Channel
ميزة FET
Logic Level Gate
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)
100V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية
2A, 1.5A
Rds On (Max) @ Id، Vgs
325 mOhm @ 2A, 10V
Vgs(ال) (ماكس) @ معرف
2.5V @ 1mA
رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
4.7nC @ 5V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
290pF @ 25V
طلب اقتباس
يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.
في الأوراق المالية 37034 PCS
معلومات الاتصال
منتجات ذات صله
الكلمات الرئيسية لQS8M51TR
QS8M51TR مكونات الكترونية
QS8M51TR مبيعات
QS8M51TR المورد
QS8M51TR موزع
QS8M51TR جدول البيانات
QS8M51TR الصور
QS8M51TR سعر
QS8M51TR يعرض
QS8M51TR أقل سعر
QS8M51TR يبحث
QS8M51TR شراء
QS8M51TR رقاقة