قد تكون الصورة تمثيلية.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.
RP1E125XNTR
MOSFET N-CH 30V 12.5A MPT6
رقم القطعة
RP1E125XNTR
الشركة المصنعة/العلامة التجارية
مسلسل
-
حالة الجزء
Obsolete
التعبئة والتغليف
Tape & Reel (TR)
تكنولوجيا
MOSFET (Metal Oxide)
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
الحزمة / القضية
6-SMD, Flat Leads
حزمة جهاز المورد
MPT6
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
2W (Ta)
نوع فيت
N-Channel
ميزة FET
-
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)
30V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية
12.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id، Vgs
12 mOhm @ 12.5A, 10V
Vgs(ال) (ماكس) @ معرف
2.5V @ 1mA
رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
12.7nC @ 5V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1000pF @ 10V
جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)
4V, 10V
في جي إس (الحد الأقصى)
±20V
طلب اقتباس
يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى chen_hx1688@hotmail.com، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.
في الأوراق المالية 24483 PCS
معلومات الاتصال
منتجات ذات صله
الكلمات الرئيسية لRP1E125XNTR
RP1E125XNTR مكونات الكترونية
RP1E125XNTR مبيعات
RP1E125XNTR المورد
RP1E125XNTR موزع
RP1E125XNTR جدول البيانات
RP1E125XNTR الصور
RP1E125XNTR سعر
RP1E125XNTR يعرض
RP1E125XNTR أقل سعر
RP1E125XNTR يبحث
RP1E125XNTR شراء
RP1E125XNTR رقاقة