STB14NM65N
MOSFET N-CH 650V 12A D2PAK
رقم القطعة
STB14NM65N
الشركة المصنعة/العلامة التجارية
مسلسل
MDmesh™ II
حالة الجزء
Obsolete
التعبئة والتغليف
Cut Tape (CT)
تكنولوجيا
MOSFET (Metal Oxide)
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
الحزمة / القضية
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
حزمة جهاز المورد
D2PAK
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
125W (Tc)
نوع فيت
N-Channel
ميزة FET
-
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)
650V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية
12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id، Vgs
380 mOhm @ 6A, 10V
Vgs(ال) (ماكس) @ معرف
4V @ 250µA
رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
45nC @ 10V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1300pF @ 50V
جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)
10V
في جي إس (الحد الأقصى)
±25V
طلب اقتباس
يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى chen_hx1688@hotmail.com، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.
في الأوراق المالية 52625 PCS
معلومات الاتصال
منتجات ذات صله
الكلمات الرئيسية لSTB14NM65N
STB14NM65N مكونات الكترونية
STB14NM65N مبيعات
STB14NM65N المورد
STB14NM65N موزع
STB14NM65N جدول البيانات
STB14NM65N الصور
STB14NM65N سعر
STB14NM65N يعرض
STB14NM65N أقل سعر
STB14NM65N يبحث
STB14NM65N شراء
STB14NM65N رقاقة