شراء Taiwan Semiconductor Corporation TSM052N06PQ56 RLG MOSFET N-CH 60V 100A 8PDFN

الصين
مورد المكونات الإلكترونية المهنية

الكتالوجات الشركات المصنعة رقائق CN

قد تكون الصورة تمثيلية.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.

عرض المزيد من المعلومات جداول البيانات

TSM052N06PQ56 RLG

MOSFET N-CH 60V 100A 8PDFN

رقم القطعة

TSM052N06PQ56 RLG

الشركة المصنعة/العلامة التجارية

Taiwan Semiconductor Corporation

مسلسل

حالة الجزء

Obsolete

التعبئة والتغليف

Tape & Reel (TR)

تكنولوجيا

MOSFET (Metal Oxide)

درجة حرارة التشغيل

-55°C ~ 150°C (TJ)

نوع التركيب

Surface Mount

الحزمة / القضية

8-PowerTDFN

حزمة جهاز المورد

8-PDFN (5x6)

تبديد الطاقة (الحد الأقصى)

83W (Tc)

نوع فيت

N-Channel

ميزة FET

استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)

60V

التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية

100A (Tc)

Rds On (Max) @ Id، Vgs

5.2 mOhm @ 20A, 10V

Vgs(ال) (ماكس) @ معرف

4V @ 250µA

رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs

50nC @ 10V

سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds

3686pF @ 30V

جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)

10V

في جي إس (الحد الأقصى)

±25V

طلب اقتباس

يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.

في الأوراق المالية 32372 PCS

معلومات الاتصال