شراء Taiwan Semiconductor Corporation TSM10NB60CI C0G MOSFET N-CH 600V 10A ITO220

الصين
مورد المكونات الإلكترونية المهنية

الكتالوجات الشركات المصنعة رقائق CN

قد تكون الصورة تمثيلية.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.

عرض المزيد من المعلومات جداول البيانات

TSM10NB60CI C0G

MOSFET N-CH 600V 10A ITO220

رقم القطعة

TSM10NB60CI C0G

الشركة المصنعة/العلامة التجارية

Taiwan Semiconductor Corporation

مسلسل

حالة الجزء

Obsolete

التعبئة والتغليف

Tube

تكنولوجيا

MOSFET (Metal Oxide)

درجة حرارة التشغيل

-55°C ~ 150°C (TJ)

نوع التركيب

Through Hole

الحزمة / القضية

TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

حزمة جهاز المورد

ITO-220

تبديد الطاقة (الحد الأقصى)

50W (Tc)

نوع فيت

N-Channel

ميزة FET

استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)

600V

التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية

10A (Tc)

Rds On (Max) @ Id، Vgs

750 mOhm @ 5A, 10V

Vgs(ال) (ماكس) @ معرف

4V @ 250µA

رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs

39nC @ 10V

سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds

1820pF @ 25V

جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)

10V

في جي إس (الحد الأقصى)

±30V

طلب اقتباس

يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.

في الأوراق المالية 35482 PCS

معلومات الاتصال