TSM110NB04CR
40V 54A 11MO N-CHANNEL POWER MOS
رقم القطعة
TSM110NB04CR
الشركة المصنعة/العلامة التجارية
حالة الجزء
Active
تكنولوجيا
MOSFET (Metal Oxide)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
الحزمة / القضية
8-PowerTDFN
حزمة جهاز المورد
8-PDFN (5x6)
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
3.1W (Ta), 68W (Tc)
نوع فيت
N-Channel
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)
40V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية
12A (Ta), 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id، Vgs
11 mOhm @ 12A, 10V
Vgs(ال) (ماكس) @ معرف
4V @ 250µA
رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
23nC @ 10V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1443pF @ 20V
في جي إس (الحد الأقصى)
±20V
جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)
10V
طلب اقتباس
يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.
في الأوراق المالية 38637 PCS
معلومات الاتصال
منتجات ذات صله
الكلمات الرئيسية لTSM110NB04CR
TSM110NB04CR مكونات الكترونية
TSM110NB04CR مبيعات
TSM110NB04CR المورد
TSM110NB04CR موزع
TSM110NB04CR جدول البيانات
TSM110NB04CR الصور
TSM110NB04CR سعر
TSM110NB04CR يعرض
TSM110NB04CR أقل سعر
TSM110NB04CR يبحث
TSM110NB04CR شراء
TSM110NB04CR رقاقة