شراء Taiwan Semiconductor Corporation TSM130NB06LCR RLG MOSFET SINGLE N-CHANNEL TRENCH

الصين
مورد المكونات الإلكترونية المهنية

الكتالوجات الشركات المصنعة رقائق CN

قد تكون الصورة تمثيلية.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.

جداول البيانات

TSM130NB06LCR RLG

MOSFET SINGLE N-CHANNEL TRENCH

رقم القطعة

TSM130NB06LCR RLG

الشركة المصنعة/العلامة التجارية

Taiwan Semiconductor Corporation

مسلسل

حالة الجزء

Active

التعبئة والتغليف

Cut Tape (CT)

تكنولوجيا

MOSFET (Metal Oxide)

درجة حرارة التشغيل

-55°C ~ 175°C (TJ)

نوع التركيب

Surface Mount

الحزمة / القضية

8-PowerLDFN

حزمة جهاز المورد

8-PDFN (5x6)

تبديد الطاقة (الحد الأقصى)

3.1W (Ta), 83W (Tc)

نوع فيت

N-Channel

ميزة FET

استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)

60V

التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية

10A (Ta), 51A (Tc)

Rds On (Max) @ Id، Vgs

13 mOhm @ 10A, 10V

Vgs(ال) (ماكس) @ معرف

2.5V @ 250µA

رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs

37nC @ 10V

سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds

2175pF @ 30V

جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)

4.5V, 10V

في جي إس (الحد الأقصى)

±20V

طلب اقتباس

يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.

في الأوراق المالية 13689 PCS

معلومات الاتصال