شراء Texas Instruments CSD13302W MOSFET N-CH 12V 1.6A

الصين
مورد المكونات الإلكترونية المهنية

الكتالوجات الشركات المصنعة رقائق CN

قد تكون الصورة تمثيلية.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.

جداول البيانات

CSD13302W

MOSFET N-CH 12V 1.6A

رقم القطعة

CSD13302W

الشركة المصنعة/العلامة التجارية

Texas Instruments

مسلسل

NexFET™

حالة الجزء

Active

التعبئة والتغليف

Cut Tape (CT)

تكنولوجيا

MOSFET (Metal Oxide)

درجة حرارة التشغيل

-55°C ~ 150°C (TJ)

نوع التركيب

Surface Mount

الحزمة / القضية

4-UFBGA, DSBGA

حزمة جهاز المورد

4-DSBGA

تبديد الطاقة (الحد الأقصى)

1.8W (Ta)

نوع فيت

N-Channel

ميزة FET

استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)

12V

التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية

1.6A (Ta)

Rds On (Max) @ Id، Vgs

17.1 mOhm @ 1A, 4.5V

Vgs(ال) (ماكس) @ معرف

1.3V @ 250µA

رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs

7.8nC @ 4.5V

سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds

862pF @ 6V

جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)

2.5V, 4.5V

في جي إس (الحد الأقصى)

±10V

طلب اقتباس

يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.

في الأوراق المالية 26562 PCS

معلومات الاتصال