CSD87312Q3E
MOSFET 2N-CH 30V 27A 8VSON
رقم القطعة
CSD87312Q3E
الشركة المصنعة/العلامة التجارية
مسلسل
NexFET™
حالة الجزء
Active
التعبئة والتغليف
Digi-Reel®
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
الحزمة / القضية
8-PowerTDFN
أقصى القوة
2.5W
حزمة جهاز المورد
8-VSON (3.3x3.3)
نوع فيت
2 N-Channel (Dual) Common Source
ميزة FET
Logic Level Gate
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)
30V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية
27A
Rds On (Max) @ Id، Vgs
33 mOhm @ 7A , 8V
Vgs(ال) (ماكس) @ معرف
1.3V @ 250µA
رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
8.2nC @ 4.5V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1250pF @ 15V
طلب اقتباس
يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.
في الأوراق المالية 10238 PCS
معلومات الاتصال
منتجات ذات صله
الكلمات الرئيسية لCSD87312Q3E
CSD87312Q3E مكونات الكترونية
CSD87312Q3E مبيعات
CSD87312Q3E المورد
CSD87312Q3E موزع
CSD87312Q3E جدول البيانات
CSD87312Q3E الصور
CSD87312Q3E سعر
CSD87312Q3E يعرض
CSD87312Q3E أقل سعر
CSD87312Q3E يبحث
CSD87312Q3E شراء
CSD87312Q3E رقاقة