شراء Toshiba Semiconductor and Storage RN1130MFV,L3F TRANS PREBIAS NPN 0.15W VESM

الصين
مورد المكونات الإلكترونية المهنية

الكتالوجات الشركات المصنعة رقائق CN

قد تكون الصورة تمثيلية.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.

عرض المزيد من المعلومات جداول البيانات

RN1130MFV,L3F

TRANS PREBIAS NPN 0.15W VESM

رقم القطعة

RN1130MFV,L3F

الشركة المصنعة/العلامة التجارية

Toshiba Semiconductor and Storage

مسلسل

حالة الجزء

Active

التعبئة والتغليف

Tape & Reel (TR)

نوع التركيب

Surface Mount

الحزمة / القضية

SOT-723

أقصى القوة

150mW

حزمة جهاز المورد

VESM

نوع الترانزستور

NPN - Pre-Biased

الحالي - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)

100mA

الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)

50V

تشبع Vce (الحد الأقصى) @ Ib, Ic

300mV @ 500µA, 5mA

التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)

500nA

كسب التيار المستمر (hFE) (الحد الأدنى) @ Ic, Vce

100 @ 10mA, 5V

التردد - الانتقال

250MHz

المقاوم - القاعدة (R1)

100 kOhms

المقاوم - قاعدة الباعث (R2)

100 kOhms

طلب اقتباس

يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.

في الأوراق المالية 30665 PCS

معلومات الاتصال