شراء Toshiba Semiconductor and Storage RN1444ATE85LF TRANS PREBIAS NPN 0.2W S-MINI

الصين
مورد المكونات الإلكترونية المهنية

الكتالوجات الشركات المصنعة رقائق CN

قد تكون الصورة تمثيلية.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.

جداول البيانات

RN1444ATE85LF

TRANS PREBIAS NPN 0.2W S-MINI

رقم القطعة

RN1444ATE85LF

الشركة المصنعة/العلامة التجارية

Toshiba Semiconductor and Storage

مسلسل

حالة الجزء

Obsolete

التعبئة والتغليف

Digi-Reel®

نوع التركيب

Surface Mount

الحزمة / القضية

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

أقصى القوة

200mW

حزمة جهاز المورد

S-Mini

نوع الترانزستور

NPN - Pre-Biased

الحالي - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)

300mA

الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)

20V

تشبع Vce (الحد الأقصى) @ Ib, Ic

100mV @ 3mA, 30mA

التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)

100nA (ICBO)

كسب التيار المستمر (hFE) (الحد الأدنى) @ Ic, Vce

200 @ 4mA, 2V

التردد - الانتقال

30MHz

المقاوم - القاعدة (R1)

2.2 kOhms

المقاوم - قاعدة الباعث (R2)

طلب اقتباس

يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.

في الأوراق المالية 19881 PCS

معلومات الاتصال