شراء Toshiba Semiconductor and Storage RN1911FETE85LF TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

الصين
مورد المكونات الإلكترونية المهنية

الكتالوجات الشركات المصنعة رقائق CN

قد تكون الصورة تمثيلية.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.

جداول البيانات

RN1911FETE85LF

TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

رقم القطعة

RN1911FETE85LF

الشركة المصنعة/العلامة التجارية

Toshiba Semiconductor and Storage

مسلسل

حالة الجزء

Discontinued at Digi-Key

التعبئة والتغليف

Cut Tape (CT)

نوع التركيب

Surface Mount

الحزمة / القضية

SOT-563, SOT-666

أقصى القوة

100mW

حزمة جهاز المورد

ES6

نوع الترانزستور

2 NPN - Pre-Biased (Dual)

الحالي - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)

100mA

الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)

50V

تشبع Vce (الحد الأقصى) @ Ib, Ic

300mV @ 250µA, 5mA

التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)

100nA (ICBO)

كسب التيار المستمر (hFE) (الحد الأدنى) @ Ic, Vce

120 @ 1mA, 5V

التردد - الانتقال

250MHz

المقاوم - القاعدة (R1)

10 kOhms

المقاوم - قاعدة الباعث (R2)

طلب اقتباس

يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.

في الأوراق المالية 9693 PCS

معلومات الاتصال