شراء Toshiba Semiconductor and Storage RN2110MFV,L3F X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M

الصين
مورد المكونات الإلكترونية المهنية

الكتالوجات الشركات المصنعة رقائق CN

قد تكون الصورة تمثيلية.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.

عرض المزيد من المعلومات جداول البيانات

RN2110MFV,L3F

X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M

رقم القطعة

RN2110MFV,L3F

الشركة المصنعة/العلامة التجارية

Toshiba Semiconductor and Storage

مسلسل

حالة الجزء

Active

التعبئة والتغليف

نوع التركيب

Surface Mount

الحزمة / القضية

SOT-723

أقصى القوة

150mW

حزمة جهاز المورد

VESM

نوع الترانزستور

PNP - Pre-Biased

الحالي - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)

100mA

الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)

50V

تشبع Vce (الحد الأقصى) @ Ib, Ic

300mV @ 250µA, 5mA

التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)

100nA (ICBO)

كسب التيار المستمر (hFE) (الحد الأدنى) @ Ic, Vce

120 @ 1mA, 5V

التردد - الانتقال

المقاوم - القاعدة (R1)

4.7 kOhms

المقاوم - قاعدة الباعث (R2)

طلب اقتباس

يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى chen_hx1688@hotmail.com، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.

في الأوراق المالية 50214 PCS

معلومات الاتصال