شراء Toshiba Semiconductor and Storage TK20V60W,LVQ MOSFET N CH 600V 20A 5DFN

الصين
مورد المكونات الإلكترونية المهنية

الكتالوجات الشركات المصنعة رقائق CN

قد تكون الصورة تمثيلية.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.

جداول البيانات

TK20V60W,LVQ

MOSFET N CH 600V 20A 5DFN

رقم القطعة

TK20V60W,LVQ

الشركة المصنعة/العلامة التجارية

Toshiba Semiconductor and Storage

مسلسل

DTMOSIV

حالة الجزء

Discontinued at Digi-Key

التعبئة والتغليف

Cut Tape (CT)

تكنولوجيا

MOSFET (Metal Oxide)

درجة حرارة التشغيل

150°C (TJ)

نوع التركيب

Surface Mount

الحزمة / القضية

4-VSFN Exposed Pad

حزمة جهاز المورد

4-DFN-EP (8x8)

تبديد الطاقة (الحد الأقصى)

156W (Tc)

نوع فيت

N-Channel

ميزة FET

Super Junction

استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)

600V

التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية

20A (Ta)

Rds On (Max) @ Id، Vgs

170 mOhm @ 10A, 10V

Vgs(ال) (ماكس) @ معرف

3.7V @ 1mA

رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs

48nC @ 10V

سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds

1680pF @ 300V

جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)

10V

في جي إس (الحد الأقصى)

±30V

طلب اقتباس

يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.

في الأوراق المالية 9383 PCS

معلومات الاتصال