شراء Vishay Semiconductor Diodes Division VS-GB100LP120N IGBT 1200V 200A 658W INT-A-PAK

الصين
مورد المكونات الإلكترونية المهنية

الكتالوجات الشركات المصنعة رقائق CN

قد تكون الصورة تمثيلية.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.

عرض المزيد من المعلومات جداول البيانات

VS-GB100LP120N

IGBT 1200V 200A 658W INT-A-PAK

رقم القطعة

VS-GB100LP120N

الشركة المصنعة/العلامة التجارية

Vishay Semiconductor Diodes Division

مسلسل

حالة الجزء

Active

درجة حرارة التشغيل

-40°C ~ 150°C (TJ)

نوع التركيب

Chassis Mount

الحزمة / القضية

INT-A-PAK

أقصى القوة

658W

إعدادات

Single

حزمة جهاز المورد

INT-A-PAK

الحالي - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)

200A

الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)

1200V

التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)

1mA

نوع اي جي بي تي

Vce(on) (الحد الأقصى) @ Vge, Ic

1.8V @ 15V, 100A (Typ)

سعة الإدخال (Cies) @ Vce

7.43nF @ 25V

مدخل

Standard

إن تي سي الثرمستور

طلب اقتباس

يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.

في الأوراق المالية 40185 PCS

معلومات الاتصال