شراء Vishay Semiconductor Diodes Division VS-GB100TH120U IGBT 1200V 200A 1136W INT-A-PAK

الصين
مورد المكونات الإلكترونية المهنية

الكتالوجات الشركات المصنعة رقائق CN

قد تكون الصورة تمثيلية.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.

عرض المزيد من المعلومات جداول البيانات

VS-GB100TH120U

IGBT 1200V 200A 1136W INT-A-PAK

رقم القطعة

VS-GB100TH120U

الشركة المصنعة/العلامة التجارية

Vishay Semiconductor Diodes Division

مسلسل

حالة الجزء

Active

درجة حرارة التشغيل

-40°C ~ 150°C (TJ)

نوع التركيب

Chassis Mount

الحزمة / القضية

Double INT-A-PAK (3 + 4)

أقصى القوة

1136W

إعدادات

Half Bridge

حزمة جهاز المورد

Double INT-A-PAK

الحالي - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)

200A

الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)

1200V

التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)

5mA

نوع اي جي بي تي

NPT

Vce(on) (الحد الأقصى) @ Vge, Ic

3.6V @ 15V, 100A

سعة الإدخال (Cies) @ Vce

8.45nF @ 20V

مدخل

Standard

إن تي سي الثرمستور

طلب اقتباس

يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.

في الأوراق المالية 6880 PCS

معلومات الاتصال