شراء Vishay Semiconductor Diodes Division VS-GB150TH120N IGBT 1200V 300A 1008W INT-A-PAK

الصين
مورد المكونات الإلكترونية المهنية

الكتالوجات الشركات المصنعة رقائق CN

قد تكون الصورة تمثيلية.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.

عرض المزيد من المعلومات جداول البيانات

VS-GB150TH120N

IGBT 1200V 300A 1008W INT-A-PAK

رقم القطعة

VS-GB150TH120N

الشركة المصنعة/العلامة التجارية

Vishay Semiconductor Diodes Division

مسلسل

حالة الجزء

Active

درجة حرارة التشغيل

150°C (TJ)

نوع التركيب

Chassis Mount

الحزمة / القضية

Double INT-A-PAK (3 + 4)

أقصى القوة

1008W

إعدادات

Half Bridge

حزمة جهاز المورد

Double INT-A-PAK

الحالي - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)

300A

الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)

1200V

التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)

5mA

نوع اي جي بي تي

Vce(on) (الحد الأقصى) @ Vge, Ic

2.35V @ 15V, 150A

سعة الإدخال (Cies) @ Vce

11nF @ 25V

مدخل

Standard

إن تي سي الثرمستور

طلب اقتباس

يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.

في الأوراق المالية 12764 PCS

معلومات الاتصال