شراء Vishay Semiconductor Diodes Division VS-GB200TS60NPBF IGBT 600V 209A 781W INT-A-PAK

الصين
مورد المكونات الإلكترونية المهنية

الكتالوجات الشركات المصنعة رقائق CN

قد تكون الصورة تمثيلية.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.

عرض المزيد من المعلومات جداول البيانات

VS-GB200TS60NPBF

IGBT 600V 209A 781W INT-A-PAK

رقم القطعة

VS-GB200TS60NPBF

الشركة المصنعة/العلامة التجارية

Vishay Semiconductor Diodes Division

مسلسل

حالة الجزء

Active

درجة حرارة التشغيل

-40°C ~ 150°C (TJ)

نوع التركيب

Chassis Mount

الحزمة / القضية

INT-A-PAK (3 + 4)

أقصى القوة

781W

إعدادات

Half Bridge

حزمة جهاز المورد

INT-A-PAK

الحالي - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)

209A

الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)

600V

التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)

200µA

نوع اي جي بي تي

NPT

Vce(on) (الحد الأقصى) @ Vge, Ic

2.84V @ 15V, 200A

سعة الإدخال (Cies) @ Vce

مدخل

Standard

إن تي سي الثرمستور

طلب اقتباس

يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.

في الأوراق المالية 10145 PCS

معلومات الاتصال