شراء Vishay Semiconductor Diodes Division VS-GB50YF120N IGBT 1200V 66A 330W ECONO

الصين
مورد المكونات الإلكترونية المهنية

الكتالوجات الشركات المصنعة رقائق CN

قد تكون الصورة تمثيلية.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.

عرض المزيد من المعلومات جداول البيانات

VS-GB50YF120N

IGBT 1200V 66A 330W ECONO

رقم القطعة

VS-GB50YF120N

الشركة المصنعة/العلامة التجارية

Vishay Semiconductor Diodes Division

مسلسل

حالة الجزء

Active

درجة حرارة التشغيل

150°C (TJ)

نوع التركيب

Chassis Mount

الحزمة / القضية

Module

أقصى القوة

330W

إعدادات

حزمة جهاز المورد

ECONO2 4PACK

الحالي - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)

66A

الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)

1200V

التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)

250µA

نوع اي جي بي تي

Vce(on) (الحد الأقصى) @ Vge, Ic

4.5V @ 15V, 75A

سعة الإدخال (Cies) @ Vce

مدخل

Standard

إن تي سي الثرمستور

طلب اقتباس

يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.

في الأوراق المالية 21379 PCS

معلومات الاتصال