شراء Vishay Semiconductor Diodes Division VS-GB90SA120U TRANSISTOR INSLTED GATE BIPOLAR

الصين
مورد المكونات الإلكترونية المهنية

الكتالوجات الشركات المصنعة رقائق CN

قد تكون الصورة تمثيلية.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.

عرض المزيد من المعلومات جداول البيانات

VS-GB90SA120U

TRANSISTOR INSLTED GATE BIPOLAR

رقم القطعة

VS-GB90SA120U

الشركة المصنعة/العلامة التجارية

Vishay Semiconductor Diodes Division

مسلسل

حالة الجزء

Active

درجة حرارة التشغيل

-40°C ~ 150°C (TJ)

نوع التركيب

Chassis Mount

الحزمة / القضية

SOT-227-4

أقصى القوة

862W

إعدادات

Single

حزمة جهاز المورد

SOT-227

الحالي - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)

149A

الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)

1200V

التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)

250µA

نوع اي جي بي تي

NPT

Vce(on) (الحد الأقصى) @ Vge, Ic

3.9V @ 15V, 75A

سعة الإدخال (Cies) @ Vce

مدخل

Standard

إن تي سي الثرمستور

طلب اقتباس

يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.

في الأوراق المالية 27059 PCS

معلومات الاتصال