شراء Vishay Semiconductor Diodes Division VS-GT100TP120N IGBT 1200V 180A 652W INT-A-PAK

الصين
مورد المكونات الإلكترونية المهنية

الكتالوجات الشركات المصنعة رقائق CN

قد تكون الصورة تمثيلية.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.

عرض المزيد من المعلومات جداول البيانات

VS-GT100TP120N

IGBT 1200V 180A 652W INT-A-PAK

رقم القطعة

VS-GT100TP120N

الشركة المصنعة/العلامة التجارية

Vishay Semiconductor Diodes Division

مسلسل

حالة الجزء

Obsolete

درجة حرارة التشغيل

175°C (TJ)

نوع التركيب

Chassis Mount

الحزمة / القضية

INT-A-PAK (3 + 4)

أقصى القوة

652W

إعدادات

Half Bridge

حزمة جهاز المورد

INT-A-PAK

الحالي - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)

180A

الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)

1200V

التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)

5mA

نوع اي جي بي تي

Trench

Vce(on) (الحد الأقصى) @ Vge, Ic

2.35V @ 15V, 100A

سعة الإدخال (Cies) @ Vce

12.8nF @ 30V

مدخل

Standard

إن تي سي الثرمستور

طلب اقتباس

يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.

في الأوراق المالية 54033 PCS

معلومات الاتصال