شراء Vishay Semiconductor Diodes Division VS-GT200TP065N IGBT

الصين
مورد المكونات الإلكترونية المهنية

الكتالوجات الشركات المصنعة رقائق CN

قد تكون الصورة تمثيلية.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.

عرض المزيد من المعلومات جداول البيانات

VS-GT200TP065N

IGBT

رقم القطعة

VS-GT200TP065N

الشركة المصنعة/العلامة التجارية

Vishay Semiconductor Diodes Division

مسلسل

حالة الجزء

Active

درجة حرارة التشغيل

-40°C ~ 175°C (TJ)

نوع التركيب

Chassis Mount

الحزمة / القضية

INT-A-PAK

أقصى القوة

600W

إعدادات

Half Bridge

حزمة جهاز المورد

INT-A-PAK

الحالي - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)

221A

الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)

650V

التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)

60µA

نوع اي جي بي تي

Trench

Vce(on) (الحد الأقصى) @ Vge, Ic

2.12V @ 15V, 200A

سعة الإدخال (Cies) @ Vce

مدخل

Standard

إن تي سي الثرمستور

طلب اقتباس

يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.

في الأوراق المالية 25492 PCS

معلومات الاتصال