شراء Vishay Semiconductor Diodes Division VS-GT300YH120N IGBT 1200V 341A 1042W DIAP

الصين
مورد المكونات الإلكترونية المهنية

الكتالوجات الشركات المصنعة رقائق CN

قد تكون الصورة تمثيلية.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.

عرض المزيد من المعلومات جداول البيانات

VS-GT300YH120N

IGBT 1200V 341A 1042W DIAP

رقم القطعة

VS-GT300YH120N

الشركة المصنعة/العلامة التجارية

Vishay Semiconductor Diodes Division

مسلسل

حالة الجزء

Active

درجة حرارة التشغيل

-40°C ~ 150°C (TJ)

نوع التركيب

Chassis Mount

الحزمة / القضية

Double INT-A-PAK (3 + 8)

أقصى القوة

1042W

إعدادات

Half Bridge

حزمة جهاز المورد

Double INT-A-PAK

الحالي - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)

341A

الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)

1200V

التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)

300µA

نوع اي جي بي تي

Trench

Vce(on) (الحد الأقصى) @ Vge, Ic

2.17V @ 15V, 300A (Typ)

سعة الإدخال (Cies) @ Vce

36nF @ 30V

مدخل

Standard

إن تي سي الثرمستور

طلب اقتباس

يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.

في الأوراق المالية 12148 PCS

معلومات الاتصال