شراء Vishay Semiconductor Diodes Division VS-GT50TP60N IGBT 600V 85A 208W INT-A-PAK

الصين
مورد المكونات الإلكترونية المهنية

الكتالوجات الشركات المصنعة رقائق CN

قد تكون الصورة تمثيلية.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.

عرض المزيد من المعلومات جداول البيانات

VS-GT50TP60N

IGBT 600V 85A 208W INT-A-PAK

رقم القطعة

VS-GT50TP60N

الشركة المصنعة/العلامة التجارية

Vishay Semiconductor Diodes Division

مسلسل

حالة الجزء

Active

درجة حرارة التشغيل

175°C (TJ)

نوع التركيب

Chassis Mount

الحزمة / القضية

INT-A-PAK (3 + 4)

أقصى القوة

208W

إعدادات

Half Bridge

حزمة جهاز المورد

INT-A-PAK

الحالي - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)

85A

الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)

600V

التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)

1mA

نوع اي جي بي تي

Trench

Vce(on) (الحد الأقصى) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 50A

سعة الإدخال (Cies) @ Vce

3.03nF @ 30V

مدخل

Standard

إن تي سي الثرمستور

طلب اقتباس

يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.

في الأوراق المالية 36833 PCS

معلومات الاتصال