قد تكون الصورة تمثيلية.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.
IRF9Z34STRR
MOSFET P-CH 60V 18A D2PAK
رقم القطعة
IRF9Z34STRR
الشركة المصنعة/العلامة التجارية
مسلسل
-
حالة الجزء
Obsolete
التعبئة والتغليف
Tape & Reel (TR)
تكنولوجيا
MOSFET (Metal Oxide)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
الحزمة / القضية
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
حزمة جهاز المورد
D2PAK
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
3.7W (Ta), 88W (Tc)
نوع فيت
P-Channel
ميزة FET
-
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)
60V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية
18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id، Vgs
140 mOhm @ 11A, 10V
Vgs(ال) (ماكس) @ معرف
4V @ 250µA
رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
34nC @ 10V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1100pF @ 25V
جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)
10V
في جي إس (الحد الأقصى)
±20V
طلب اقتباس
يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى chen_hx1688@hotmail.com، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.
في الأوراق المالية 6727 PCS
معلومات الاتصال
منتجات ذات صله
الكلمات الرئيسية لIRF9Z34STRR
IRF9Z34STRR مكونات الكترونية
IRF9Z34STRR مبيعات
IRF9Z34STRR المورد
IRF9Z34STRR موزع
IRF9Z34STRR جدول البيانات
IRF9Z34STRR الصور
IRF9Z34STRR سعر
IRF9Z34STRR يعرض
IRF9Z34STRR أقل سعر
IRF9Z34STRR يبحث
IRF9Z34STRR شراء
IRF9Z34STRR رقاقة