قد تكون الصورة تمثيلية.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.
IRFB9N65APBF
MOSFET N-CH 650V 8.5A TO-220AB
رقم القطعة
IRFB9N65APBF
الشركة المصنعة/العلامة التجارية
مسلسل
-
حالة الجزء
Active
التعبئة والتغليف
Tube
تكنولوجيا
MOSFET (Metal Oxide)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
الحزمة / القضية
TO-220-3
حزمة جهاز المورد
TO-220AB
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
167W (Tc)
نوع فيت
N-Channel
ميزة FET
-
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)
650V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية
8.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id، Vgs
930 mOhm @ 5.1A, 10V
Vgs(ال) (ماكس) @ معرف
4V @ 250µA
رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
48nC @ 10V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1417pF @ 25V
جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)
10V
في جي إس (الحد الأقصى)
±30V
طلب اقتباس
يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى chen_hx1688@hotmail.com، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.
في الأوراق المالية 22681 PCS
معلومات الاتصال
منتجات ذات صله
الكلمات الرئيسية لIRFB9N65APBF
IRFB9N65APBF مكونات الكترونية
IRFB9N65APBF مبيعات
IRFB9N65APBF المورد
IRFB9N65APBF موزع
IRFB9N65APBF جدول البيانات
IRFB9N65APBF الصور
IRFB9N65APBF سعر
IRFB9N65APBF يعرض
IRFB9N65APBF أقل سعر
IRFB9N65APBF يبحث
IRFB9N65APBF شراء
IRFB9N65APBF رقاقة