IRFBC20STRLPBF
MOSFET N-CH 600V 2.2A D2PAK
رقم القطعة
IRFBC20STRLPBF
الشركة المصنعة/العلامة التجارية
مسلسل
-
حالة الجزء
Active
التعبئة والتغليف
Cut Tape (CT)
تكنولوجيا
MOSFET (Metal Oxide)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
الحزمة / القضية
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
حزمة جهاز المورد
D2PAK
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
3.1W (Ta), 50W (Tc)
نوع فيت
N-Channel
ميزة FET
-
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)
600V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية
2.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id، Vgs
4.4 Ohm @ 1.3A, 10V
Vgs(ال) (ماكس) @ معرف
4V @ 250µA
رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
18nC @ 10V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
350pF @ 25V
جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)
10V
في جي إس (الحد الأقصى)
±20V
طلب اقتباس
يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى chen_hx1688@hotmail.com، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.
في الأوراق المالية 7929 PCS
معلومات الاتصال
منتجات ذات صله
الكلمات الرئيسية لIRFBC20STRLPBF
IRFBC20STRLPBF مكونات الكترونية
IRFBC20STRLPBF مبيعات
IRFBC20STRLPBF المورد
IRFBC20STRLPBF موزع
IRFBC20STRLPBF جدول البيانات
IRFBC20STRLPBF الصور
IRFBC20STRLPBF سعر
IRFBC20STRLPBF يعرض
IRFBC20STRLPBF أقل سعر
IRFBC20STRLPBF يبحث
IRFBC20STRLPBF شراء
IRFBC20STRLPBF رقاقة