قد تكون الصورة تمثيلية.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.
IRFBE30SPBF
MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK
رقم القطعة
IRFBE30SPBF
الشركة المصنعة/العلامة التجارية
مسلسل
-
حالة الجزء
Active
التعبئة والتغليف
Tube
تكنولوجيا
MOSFET (Metal Oxide)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
الحزمة / القضية
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
حزمة جهاز المورد
D2PAK
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
125W (Tc)
نوع فيت
N-Channel
ميزة FET
-
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)
800V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية
4.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id، Vgs
3 Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs(ال) (ماكس) @ معرف
4V @ 250µA
رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
78nC @ 10V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1300pF @ 25V
جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)
10V
في جي إس (الحد الأقصى)
±20V
طلب اقتباس
يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.
في الأوراق المالية 54817 PCS
معلومات الاتصال
منتجات ذات صله
الكلمات الرئيسية لIRFBE30SPBF
IRFBE30SPBF مكونات الكترونية
IRFBE30SPBF مبيعات
IRFBE30SPBF المورد
IRFBE30SPBF موزع
IRFBE30SPBF جدول البيانات
IRFBE30SPBF الصور
IRFBE30SPBF سعر
IRFBE30SPBF يعرض
IRFBE30SPBF أقل سعر
IRFBE30SPBF يبحث
IRFBE30SPBF شراء
IRFBE30SPBF رقاقة