IRFR110TRLPBF
MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK
رقم القطعة
IRFR110TRLPBF
الشركة المصنعة/العلامة التجارية
مسلسل
-
حالة الجزء
Active
التعبئة والتغليف
Cut Tape (CT)
تكنولوجيا
MOSFET (Metal Oxide)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
الحزمة / القضية
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
حزمة جهاز المورد
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
25W (Tc)
نوع فيت
N-Channel
ميزة FET
-
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)
100V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية
4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id، Vgs
540 mOhm @ 2.6A, 10V
Vgs(ال) (ماكس) @ معرف
4V @ 250µA
رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
8.3nC @ 10V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
180pF @ 25V
جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)
10V
في جي إس (الحد الأقصى)
±20V
طلب اقتباس
يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.
في الأوراق المالية 49947 PCS
معلومات الاتصال
منتجات ذات صله
الكلمات الرئيسية لIRFR110TRLPBF
IRFR110TRLPBF مكونات الكترونية
IRFR110TRLPBF مبيعات
IRFR110TRLPBF المورد
IRFR110TRLPBF موزع
IRFR110TRLPBF جدول البيانات
IRFR110TRLPBF الصور
IRFR110TRLPBF سعر
IRFR110TRLPBF يعرض
IRFR110TRLPBF أقل سعر
IRFR110TRLPBF يبحث
IRFR110TRLPBF شراء
IRFR110TRLPBF رقاقة