IRFR1N60ATRPBF
MOSFET N-CH 600V 1.4A DPAK
رقم القطعة
IRFR1N60ATRPBF
الشركة المصنعة/العلامة التجارية
مسلسل
-
حالة الجزء
Active
التعبئة والتغليف
Cut Tape (CT)
تكنولوجيا
MOSFET (Metal Oxide)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
الحزمة / القضية
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
حزمة جهاز المورد
D-Pak
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
36W (Tc)
نوع فيت
N-Channel
ميزة FET
-
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)
600V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية
1.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id، Vgs
7 Ohm @ 840mA, 10V
Vgs(ال) (ماكس) @ معرف
4V @ 250µA
رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
14nC @ 10V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
229pF @ 25V
جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)
10V
في جي إس (الحد الأقصى)
±30V
طلب اقتباس
يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.
في الأوراق المالية 30612 PCS
معلومات الاتصال
منتجات ذات صله
الكلمات الرئيسية لIRFR1N60ATRPBF
IRFR1N60ATRPBF مكونات الكترونية
IRFR1N60ATRPBF مبيعات
IRFR1N60ATRPBF المورد
IRFR1N60ATRPBF موزع
IRFR1N60ATRPBF جدول البيانات
IRFR1N60ATRPBF الصور
IRFR1N60ATRPBF سعر
IRFR1N60ATRPBF يعرض
IRFR1N60ATRPBF أقل سعر
IRFR1N60ATRPBF يبحث
IRFR1N60ATRPBF شراء
IRFR1N60ATRPBF رقاقة