شراء Vishay Siliconix SI1026X-T1-GE3 MOSFET 2N-CH 60V 0.305A SC89-6

الصين
مورد المكونات الإلكترونية المهنية

الكتالوجات الشركات المصنعة رقائق CN

قد تكون الصورة تمثيلية.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.

جداول البيانات

SI1026X-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 60V 0.305A SC89-6

رقم القطعة

SI1026X-T1-GE3

الشركة المصنعة/العلامة التجارية

Vishay Siliconix

مسلسل

حالة الجزء

Active

التعبئة والتغليف

Digi-Reel®

درجة حرارة التشغيل

-55°C ~ 150°C (TJ)

نوع التركيب

Surface Mount

الحزمة / القضية

SOT-563, SOT-666

أقصى القوة

250mW

حزمة جهاز المورد

SC-89-6

نوع فيت

2 N-Channel (Dual)

ميزة FET

Logic Level Gate

استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)

60V

التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية

305mA

Rds On (Max) @ Id، Vgs

1.4 Ohm @ 500mA, 10V

Vgs(ال) (ماكس) @ معرف

2.5V @ 250µA

رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs

0.6nC @ 4.5V

سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds

30pF @ 25V

طلب اقتباس

يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.

في الأوراق المالية 17468 PCS

معلومات الاتصال

منتجات ذات صله

SI1000-C-GM

IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42-WFQFN