شراء Vishay Siliconix SI1062X-T1-GE3 MOSFET N-CH 20V SC-89

الصين
مورد المكونات الإلكترونية المهنية

الكتالوجات الشركات المصنعة رقائق CN

قد تكون الصورة تمثيلية.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.

عرض المزيد من المعلومات جداول البيانات

SI1062X-T1-GE3

MOSFET N-CH 20V SC-89

رقم القطعة

SI1062X-T1-GE3

الشركة المصنعة/العلامة التجارية

Vishay Siliconix

مسلسل

TrenchFET®

حالة الجزء

Active

التعبئة والتغليف

Tape & Reel (TR)

تكنولوجيا

MOSFET (Metal Oxide)

درجة حرارة التشغيل

-55°C ~ 150°C (TJ)

نوع التركيب

Surface Mount

الحزمة / القضية

SC-89, SOT-490

حزمة جهاز المورد

SC-89-3

تبديد الطاقة (الحد الأقصى)

220mW (Ta)

نوع فيت

N-Channel

ميزة FET

استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)

20V

التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية

Rds On (Max) @ Id، Vgs

420 mOhm @ 500mA, 4.5V

Vgs(ال) (ماكس) @ معرف

1V @ 250µA

رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs

2.7nC @ 8V

سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds

43pF @ 10V

جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)

1.5V, 4.5V

في جي إس (الحد الأقصى)

±8V

طلب اقتباس

يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.

في الأوراق المالية 38610 PCS

معلومات الاتصال

منتجات ذات صله

SI1000-C-GM

IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42-WFQFN