شراء Vishay Siliconix SI3460BDV-T1-E3 MOSFET N-CH 20V 8A 6-TSOP

الصين
مورد المكونات الإلكترونية المهنية

الكتالوجات الشركات المصنعة رقائق CN

قد تكون الصورة تمثيلية.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.

جداول البيانات

SI3460BDV-T1-E3

MOSFET N-CH 20V 8A 6-TSOP

رقم القطعة

SI3460BDV-T1-E3

الشركة المصنعة/العلامة التجارية

Vishay Siliconix

مسلسل

TrenchFET®

حالة الجزء

Active

التعبئة والتغليف

Cut Tape (CT)

تكنولوجيا

MOSFET (Metal Oxide)

درجة حرارة التشغيل

-55°C ~ 150°C (TJ)

نوع التركيب

Surface Mount

الحزمة / القضية

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

حزمة جهاز المورد

6-TSOP

تبديد الطاقة (الحد الأقصى)

2W (Ta), 3.5W (Tc)

نوع فيت

N-Channel

ميزة FET

استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)

20V

التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية

8A (Tc)

Rds On (Max) @ Id، Vgs

27 mOhm @ 5.1A, 4.5V

Vgs(ال) (ماكس) @ معرف

1V @ 250µA

رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs

24nC @ 8V

سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds

860pF @ 10V

جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)

1.8V, 4.5V

في جي إس (الحد الأقصى)

±8V

طلب اقتباس

يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.

في الأوراق المالية 43756 PCS

معلومات الاتصال

منتجات ذات صله

SI3400-BZ-GM

IC POWER OVER ETHERNET 20QFN