قد تكون الصورة تمثيلية.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.
SI3460DV-T1-E3

SI3460DV-T1-E3

MOSFET N-CH 20V 5.1A 6TSOP
رقم القطعة
SI3460DV-T1-E3
الشركة المصنعة/العلامة التجارية
مسلسل
TrenchFET®
حالة الجزء
Obsolete
التعبئة والتغليف
Tape & Reel (TR)
تكنولوجيا
MOSFET (Metal Oxide)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
الحزمة / القضية
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
حزمة جهاز المورد
6-TSOP
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
1.1W (Ta)
نوع فيت
N-Channel
ميزة FET
-
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)
20V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية
5.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id، Vgs
27 mOhm @ 5.1A, 4.5V
Vgs(ال) (ماكس) @ معرف
450mV @ 1mA (Min)
رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
20nC @ 4.5V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
-
جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)
1.8V, 4.5V
في جي إس (الحد الأقصى)
±8V
طلب اقتباس
يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.
في الأوراق المالية 19522 PCS
معلومات الاتصال
الكلمات الرئيسية لSI3460DV-T1-E3
SI3460DV-T1-E3 مكونات الكترونية
SI3460DV-T1-E3 مبيعات
SI3460DV-T1-E3 المورد
SI3460DV-T1-E3 موزع
SI3460DV-T1-E3 جدول البيانات
SI3460DV-T1-E3 الصور
SI3460DV-T1-E3 سعر
SI3460DV-T1-E3 يعرض
SI3460DV-T1-E3 أقل سعر
SI3460DV-T1-E3 يبحث
SI3460DV-T1-E3 شراء
SI3460DV-T1-E3 رقاقة