SI3473DV-T1-E3
MOSFET P-CH 12V 5.9A 6-TSOP
رقم القطعة
SI3473DV-T1-E3
الشركة المصنعة/العلامة التجارية
مسلسل
TrenchFET®
حالة الجزء
Obsolete
التعبئة والتغليف
Digi-Reel®
تكنولوجيا
MOSFET (Metal Oxide)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
الحزمة / القضية
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
حزمة جهاز المورد
6-TSOP
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
1.1W (Ta)
نوع فيت
P-Channel
ميزة FET
-
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)
12V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية
5.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id، Vgs
23 mOhm @ 7.9A, 4.5V
Vgs(ال) (ماكس) @ معرف
1V @ 250µA
رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
33nC @ 4.5V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
-
جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)
1.8V, 4.5V
في جي إس (الحد الأقصى)
±8V
طلب اقتباس
يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى chen_hx1688@hotmail.com، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.
في الأوراق المالية 35452 PCS
معلومات الاتصال
منتجات ذات صله
الكلمات الرئيسية لSI3473DV-T1-E3
SI3473DV-T1-E3 مكونات الكترونية
SI3473DV-T1-E3 مبيعات
SI3473DV-T1-E3 المورد
SI3473DV-T1-E3 موزع
SI3473DV-T1-E3 جدول البيانات
SI3473DV-T1-E3 الصور
SI3473DV-T1-E3 سعر
SI3473DV-T1-E3 يعرض
SI3473DV-T1-E3 أقل سعر
SI3473DV-T1-E3 يبحث
SI3473DV-T1-E3 شراء
SI3473DV-T1-E3 رقاقة