قد تكون الصورة تمثيلية.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.
SI3476DV-T1-GE3

SI3476DV-T1-GE3

MOSFET N-CH 80V 4.6A TSOP-6
رقم القطعة
SI3476DV-T1-GE3
الشركة المصنعة/العلامة التجارية
مسلسل
TrenchFET®
حالة الجزء
Active
التعبئة والتغليف
Tape & Reel (TR)
تكنولوجيا
MOSFET (Metal Oxide)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
الحزمة / القضية
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
حزمة جهاز المورد
6-TSOP
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
2W (Ta), 3.6W (Tc)
نوع فيت
N-Channel
ميزة FET
-
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)
80V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية
4.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id، Vgs
93 mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs(ال) (ماكس) @ معرف
3V @ 250µA
رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
7.5nC @ 10V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
195pF @ 40V
جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)
4.5V, 10V
في جي إس (الحد الأقصى)
±20V
طلب اقتباس
يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.
في الأوراق المالية 33126 PCS
معلومات الاتصال
الكلمات الرئيسية لSI3476DV-T1-GE3
SI3476DV-T1-GE3 مكونات الكترونية
SI3476DV-T1-GE3 مبيعات
SI3476DV-T1-GE3 المورد
SI3476DV-T1-GE3 موزع
SI3476DV-T1-GE3 جدول البيانات
SI3476DV-T1-GE3 الصور
SI3476DV-T1-GE3 سعر
SI3476DV-T1-GE3 يعرض
SI3476DV-T1-GE3 أقل سعر
SI3476DV-T1-GE3 يبحث
SI3476DV-T1-GE3 شراء
SI3476DV-T1-GE3 رقاقة