قد تكون الصورة تمثيلية.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.
SI3493BDV-T1-E3

SI3493BDV-T1-E3

MOSFET P-CH 20V 8A 6-TSOP
رقم القطعة
SI3493BDV-T1-E3
الشركة المصنعة/العلامة التجارية
مسلسل
TrenchFET®
حالة الجزء
Active
التعبئة والتغليف
Digi-Reel®
تكنولوجيا
MOSFET (Metal Oxide)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
الحزمة / القضية
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
حزمة جهاز المورد
6-TSOP
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
2.08W (Ta), 2.97W (Tc)
نوع فيت
P-Channel
ميزة FET
-
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)
20V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية
8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id، Vgs
27.5 mOhm @ 7A, 4.5V
Vgs(ال) (ماكس) @ معرف
900mV @ 250µA
رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
43.5nC @ 5V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1805pF @ 10V
جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)
1.8V, 4.5V
في جي إس (الحد الأقصى)
±8V
طلب اقتباس
يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.
في الأوراق المالية 50490 PCS
معلومات الاتصال
الكلمات الرئيسية لSI3493BDV-T1-E3
SI3493BDV-T1-E3 مكونات الكترونية
SI3493BDV-T1-E3 مبيعات
SI3493BDV-T1-E3 المورد
SI3493BDV-T1-E3 موزع
SI3493BDV-T1-E3 جدول البيانات
SI3493BDV-T1-E3 الصور
SI3493BDV-T1-E3 سعر
SI3493BDV-T1-E3 يعرض
SI3493BDV-T1-E3 أقل سعر
SI3493BDV-T1-E3 يبحث
SI3493BDV-T1-E3 شراء
SI3493BDV-T1-E3 رقاقة