قد تكون الصورة تمثيلية.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.
SI3588DV-T1-E3

SI3588DV-T1-E3

MOSFET N/P-CH 20V 2.5A 6TSOP
رقم القطعة
SI3588DV-T1-E3
الشركة المصنعة/العلامة التجارية
مسلسل
TrenchFET®
حالة الجزء
Obsolete
التعبئة والتغليف
Cut Tape (CT)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
الحزمة / القضية
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
أقصى القوة
830mW, 83mW
حزمة جهاز المورد
6-TSOP
نوع فيت
N and P-Channel
ميزة FET
Logic Level Gate
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)
20V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية
2.5A, 570mA
Rds On (Max) @ Id، Vgs
80 mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs(ال) (ماكس) @ معرف
450mV @ 250µA (Min)
رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
7.5nC @ 4.5V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
-
طلب اقتباس
يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.
في الأوراق المالية 31398 PCS
معلومات الاتصال
الكلمات الرئيسية لSI3588DV-T1-E3
SI3588DV-T1-E3 مكونات الكترونية
SI3588DV-T1-E3 مبيعات
SI3588DV-T1-E3 المورد
SI3588DV-T1-E3 موزع
SI3588DV-T1-E3 جدول البيانات
SI3588DV-T1-E3 الصور
SI3588DV-T1-E3 سعر
SI3588DV-T1-E3 يعرض
SI3588DV-T1-E3 أقل سعر
SI3588DV-T1-E3 يبحث
SI3588DV-T1-E3 شراء
SI3588DV-T1-E3 رقاقة