قد تكون الصورة تمثيلية.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.
SI4276DY-T1-GE3

SI4276DY-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC
رقم القطعة
SI4276DY-T1-GE3
الشركة المصنعة/العلامة التجارية
مسلسل
TrenchFET®
حالة الجزء
Obsolete
التعبئة والتغليف
Cut Tape (CT)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
الحزمة / القضية
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
أقصى القوة
3.6W, 2.8W
حزمة جهاز المورد
8-SO
نوع فيت
2 N-Channel (Dual)
ميزة FET
Logic Level Gate
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)
30V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية
8A
Rds On (Max) @ Id، Vgs
15.3 mOhm @ 9.5A, 10V
Vgs(ال) (ماكس) @ معرف
2.5V @ 250µA
رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
26nC @ 10V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1000pF @ 15V
طلب اقتباس
يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.
في الأوراق المالية 34502 PCS
معلومات الاتصال
الكلمات الرئيسية لSI4276DY-T1-GE3
SI4276DY-T1-GE3 مكونات الكترونية
SI4276DY-T1-GE3 مبيعات
SI4276DY-T1-GE3 المورد
SI4276DY-T1-GE3 موزع
SI4276DY-T1-GE3 جدول البيانات
SI4276DY-T1-GE3 الصور
SI4276DY-T1-GE3 سعر
SI4276DY-T1-GE3 يعرض
SI4276DY-T1-GE3 أقل سعر
SI4276DY-T1-GE3 يبحث
SI4276DY-T1-GE3 شراء
SI4276DY-T1-GE3 رقاقة