قد تكون الصورة تمثيلية.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.
SI4403BDY-T1-E3

SI4403BDY-T1-E3

MOSFET P-CH 20V 7.3A 8-SOIC
رقم القطعة
SI4403BDY-T1-E3
الشركة المصنعة/العلامة التجارية
مسلسل
TrenchFET®
حالة الجزء
Obsolete
التعبئة والتغليف
Cut Tape (CT)
تكنولوجيا
MOSFET (Metal Oxide)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
الحزمة / القضية
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
حزمة جهاز المورد
8-SO
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
1.35W (Ta)
نوع فيت
P-Channel
ميزة FET
-
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)
20V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية
7.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id، Vgs
17 mOhm @ 9.9A, 4.5V
Vgs(ال) (ماكس) @ معرف
1V @ 350µA
رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
50nC @ 5V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
-
جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)
1.8V, 4.5V
في جي إس (الحد الأقصى)
±8V
طلب اقتباس
يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.
في الأوراق المالية 14183 PCS
معلومات الاتصال
الكلمات الرئيسية لSI4403BDY-T1-E3
SI4403BDY-T1-E3 مكونات الكترونية
SI4403BDY-T1-E3 مبيعات
SI4403BDY-T1-E3 المورد
SI4403BDY-T1-E3 موزع
SI4403BDY-T1-E3 جدول البيانات
SI4403BDY-T1-E3 الصور
SI4403BDY-T1-E3 سعر
SI4403BDY-T1-E3 يعرض
SI4403BDY-T1-E3 أقل سعر
SI4403BDY-T1-E3 يبحث
SI4403BDY-T1-E3 شراء
SI4403BDY-T1-E3 رقاقة