شراء Vishay Siliconix SI4466DY-T1-E3 MOSFET N-CH 20V 9.5A 8-SOIC

الصين
مورد المكونات الإلكترونية المهنية

الكتالوجات الشركات المصنعة رقائق CN

قد تكون الصورة تمثيلية.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.

جداول البيانات

SI4466DY-T1-E3

MOSFET N-CH 20V 9.5A 8-SOIC

رقم القطعة

SI4466DY-T1-E3

الشركة المصنعة/العلامة التجارية

Vishay Siliconix

مسلسل

TrenchFET®

حالة الجزء

Obsolete

التعبئة والتغليف

Cut Tape (CT)

تكنولوجيا

MOSFET (Metal Oxide)

درجة حرارة التشغيل

-55°C ~ 150°C (TJ)

نوع التركيب

Surface Mount

الحزمة / القضية

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

حزمة جهاز المورد

8-SO

تبديد الطاقة (الحد الأقصى)

1.5W (Ta)

نوع فيت

N-Channel

ميزة FET

استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)

20V

التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية

9.5A (Ta)

Rds On (Max) @ Id، Vgs

9 mOhm @ 13.5A, 4.5V

Vgs(ال) (ماكس) @ معرف

1.4V @ 250µA

رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs

60nC @ 4.5V

سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds

جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)

2.5V, 4.5V

في جي إس (الحد الأقصى)

±12V

طلب اقتباس

يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.

في الأوراق المالية 40818 PCS

معلومات الاتصال

منتجات ذات صله

SI4401BDY-T1-E3

MOSFET P-CH 40V 8.7A 8-SOIC