قد تكون الصورة تمثيلية.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.
SI4470EY-T1-GE3

SI4470EY-T1-GE3

MOSFET N-CH 60V 9A 8-SOIC
رقم القطعة
SI4470EY-T1-GE3
الشركة المصنعة/العلامة التجارية
مسلسل
TrenchFET®
حالة الجزء
Obsolete
التعبئة والتغليف
Digi-Reel®
تكنولوجيا
MOSFET (Metal Oxide)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
الحزمة / القضية
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
حزمة جهاز المورد
8-SO
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
1.85W (Ta)
نوع فيت
N-Channel
ميزة FET
-
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)
60V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية
9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id، Vgs
11 mOhm @ 12A, 10V
Vgs(ال) (ماكس) @ معرف
2V @ 250µA (Min)
رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
70nC @ 10V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
-
جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)
6V, 10V
في جي إس (الحد الأقصى)
±20V
طلب اقتباس
يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.
في الأوراق المالية 32896 PCS
معلومات الاتصال
الكلمات الرئيسية لSI4470EY-T1-GE3
SI4470EY-T1-GE3 مكونات الكترونية
SI4470EY-T1-GE3 مبيعات
SI4470EY-T1-GE3 المورد
SI4470EY-T1-GE3 موزع
SI4470EY-T1-GE3 جدول البيانات
SI4470EY-T1-GE3 الصور
SI4470EY-T1-GE3 سعر
SI4470EY-T1-GE3 يعرض
SI4470EY-T1-GE3 أقل سعر
SI4470EY-T1-GE3 يبحث
SI4470EY-T1-GE3 شراء
SI4470EY-T1-GE3 رقاقة