قد تكون الصورة تمثيلية.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.
SI4488DY-T1-E3

SI4488DY-T1-E3

MOSFET N-CH 150V 3.5A 8-SOIC
رقم القطعة
SI4488DY-T1-E3
الشركة المصنعة/العلامة التجارية
مسلسل
TrenchFET®
حالة الجزء
Active
التعبئة والتغليف
Digi-Reel®
تكنولوجيا
MOSFET (Metal Oxide)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
الحزمة / القضية
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
حزمة جهاز المورد
8-SO
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
1.56W (Ta)
نوع فيت
N-Channel
ميزة FET
-
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)
150V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية
3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id، Vgs
50 mOhm @ 5A, 10V
Vgs(ال) (ماكس) @ معرف
2V @ 250µA (Min)
رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
36nC @ 10V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
-
جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)
10V
في جي إس (الحد الأقصى)
±20V
طلب اقتباس
يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.
في الأوراق المالية 40412 PCS
معلومات الاتصال
الكلمات الرئيسية لSI4488DY-T1-E3
SI4488DY-T1-E3 مكونات الكترونية
SI4488DY-T1-E3 مبيعات
SI4488DY-T1-E3 المورد
SI4488DY-T1-E3 موزع
SI4488DY-T1-E3 جدول البيانات
SI4488DY-T1-E3 الصور
SI4488DY-T1-E3 سعر
SI4488DY-T1-E3 يعرض
SI4488DY-T1-E3 أقل سعر
SI4488DY-T1-E3 يبحث
SI4488DY-T1-E3 شراء
SI4488DY-T1-E3 رقاقة