شراء Vishay Siliconix SI4511DY-T1-GE3 MOSFET N/P-CH 20V 7.2A 8-SOIC

الصين
مورد المكونات الإلكترونية المهنية

الكتالوجات الشركات المصنعة رقائق CN

قد تكون الصورة تمثيلية.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.

عرض المزيد من المعلومات جداول البيانات

SI4511DY-T1-GE3

MOSFET N/P-CH 20V 7.2A 8-SOIC

رقم القطعة

SI4511DY-T1-GE3

الشركة المصنعة/العلامة التجارية

Vishay Siliconix

مسلسل

TrenchFET®

حالة الجزء

Obsolete

التعبئة والتغليف

Cut Tape (CT)

درجة حرارة التشغيل

-55°C ~ 150°C (TJ)

نوع التركيب

Surface Mount

الحزمة / القضية

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

أقصى القوة

1.1W

حزمة جهاز المورد

8-SO

نوع فيت

N and P-Channel

ميزة FET

Logic Level Gate

استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)

20V

التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية

7.2A, 4.6A

Rds On (Max) @ Id، Vgs

14.5 mOhm @ 9.6A, 10V

Vgs(ال) (ماكس) @ معرف

1.8V @ 250µA

رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs

18nC @ 4.5V

سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds

طلب اقتباس

يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.

في الأوراق المالية 30256 PCS

معلومات الاتصال

منتجات ذات صله

SI4500BDY-T1-E3

MOSFET N/P-CH 20V 6.6A 8SOIC