SI4876DY-T1-E3
MOSFET N-CH 20V 14A 8-SOIC
رقم القطعة
SI4876DY-T1-E3
الشركة المصنعة/العلامة التجارية
مسلسل
TrenchFET®
حالة الجزء
Obsolete
التعبئة والتغليف
Digi-Reel®
تكنولوجيا
MOSFET (Metal Oxide)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
الحزمة / القضية
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
حزمة جهاز المورد
8-SO
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
1.6W (Ta)
نوع فيت
N-Channel
ميزة FET
-
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)
20V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية
14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id، Vgs
5 mOhm @ 21A, 4.5V
Vgs(ال) (ماكس) @ معرف
600mV @ 250µA (Min)
رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
80nC @ 4.5V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
-
جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)
2.5V, 4.5V
في جي إس (الحد الأقصى)
±12V
طلب اقتباس
يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.
في الأوراق المالية 6709 PCS
معلومات الاتصال
منتجات ذات صله
الكلمات الرئيسية لSI4876DY-T1-E3
SI4876DY-T1-E3 مكونات الكترونية
SI4876DY-T1-E3 مبيعات
SI4876DY-T1-E3 المورد
SI4876DY-T1-E3 موزع
SI4876DY-T1-E3 جدول البيانات
SI4876DY-T1-E3 الصور
SI4876DY-T1-E3 سعر
SI4876DY-T1-E3 يعرض
SI4876DY-T1-E3 أقل سعر
SI4876DY-T1-E3 يبحث
SI4876DY-T1-E3 شراء
SI4876DY-T1-E3 رقاقة